NGHIÊN CỨU CHẾ TẠO MÀNG DẪN ĐIỆN TRONG SUỐT LOẠI n SnO2 PHA TẠP Ta TRÊN ĐẾ THẠCH ANH BẰNG PHƯƠNG PHÁP PHÚN XẠ MAGNETRON DC

Tóm tắt

Công trình này tập trung nghiên cứu chế tạo màng dẫn điện trong suốt SnO2 pha tạp Ta (TTO) được lắng đọng ở các nhiệt độ đế khác nhau. Màng TTO được lắng đọng trên đế thạch anh bằng phương pháp phún xạ magnetron DC. Cấu trúc tinh thể và tính chất quang và điện của màng được khảo sát bằng giản đồ nhiễu xạ tia X, phổ truyền qua Uv-Vis và phép đo Hall. Kết quả cho thấy, màng có cấu trúc tứ giác rutile của SnO2 đa tinh thể với mặt ưu tiên SnO2 (101). Màng đạt giá trị điện trở suất thấp nhất ở điều kiện tối ưu ở 300oC là 4,50 x 10-3 Ωcm với nồng độ hạt tải và độ linh động lần lượt là 5,51 x 1020 cm-3, 3,08 cm2V-1s-1 đồng thời độ truyền qua trung bình của màng trong vùng khả kiến trên 80%. Đặc trưng I-V của tiếp xúc dị thể n-TTO/p-Si được khảo sát ở điều kiện được chiếu sáng và không chiếu sáng.