NGHIÊN CỨU HIỆU ỨNG THỂ TÍCH VÀ HIỆU ỨNG CẢN XẠ CỦA BỀ DÀY LỚP LITHIUM KHUẾCH TÁN TRONG ĐẦU DÒ HPGe LOẠI p

Tóm tắt

Đầu dò germanium siêu tinh khiết (HPGe), giống như một diode có cấu trúc gồm 3 vùng P, I và N làm việc ở chế độ phân cực nghịch, trong đó vùng I nhạy với các bức xạ ion hóa, đặc biệt là tia gamma và tia X. Trong quá trình hoạt động các nguyên tử lithium của lớp n+ (lớp lithium khuếch tán n+, vùng P) tiếp tục khuếch tán vào sâu bên trong tinh thể làm cho bề dày của lớp này tăng lên đáng kể, do đó, làm giảm hiệu suất ghi của đầu dò. Sự tăng bề dày lớp chết không những làm giảm thể tích vùng nhạy (hiệu ứng thể tích) mà còn làm tăng quãng đường tán xạ của tia gamma đi vào đầu dò (hiệu ứng cản xạ). Kết quả nghiên cứu trên đầu dò HPGe GC58 cho thấy rằng đóng góp ảnh hưởng của hiệu ứng thể tích và hiệu ứng cản xạ vào sự giảm hiệu suất ghi của đầu dò lần lượt là 82% và 18%.