Transistor Hiệu Ứng Trường Dây Nano Silicon và đặc trưng Dòng điện – Điện thế của linh kiện

Tóm tắt

Transistor hiệu ứng trường dây Nano Silicon (NW-FET) là một trong những chủ đề nghiên cứu hấp dẫn nhất, thu hút sự quan tâm đặc biệt của các nhà khoa học trên toàn thế giới. Nhiều nghiên cứu gần đây chứng minh rằng linh kiện này thể hiện các đặc tính cơ - điện tuyệt vời và có thể được sử dụng để sản xuất các vi mạch tích hợp (ICs) thế hệ tiếp theo. Bài viết này trình bày một mô hình SiNW-FET, bao gồm một dây Nano Silicon được đặt trong kênh dẫn để tăng cường hiệu quả hoạt động và giảm thiểu hiệu ứng kênh ngắn. Một hướng tiếp cận mới trong nghiên cứu này là sử dụng phương trình Schrödinger-Poisson và phương pháp Hàm Green không cân bằng (NEGF) để tính toán các đặc trưng dòng điện-điện thế trong linh kiện. Sau đó, các kết quả tính toán được mô phỏng bằng phần mềm Matlab với các thông số khác nhau như độ dài kênh, nồng độ pha tạp chất bán dẫn, độ dày oxit cổng...Những kết quả thực nghiệm cho thấy rằng phương pháp đề xuất đã đưa ra một cách tính toán chính xác và có thể áp dụng phương pháp này cho các linh kiện điện tử nano khác.