HIỆU ỨNG “SWITCHING” VÀ ỨNG DỤNG TRONG KỸ THUẬT CỦA HỢP CHẤT Ge2Sb2Te5

Tóm tắt

Hợp chất họ Chalcogenide trong đó Ge2Sb2Te5 được xem là ứng cử viên đặc biệt, được sử dụng trong các thiết bị lưu trữ thông tin, bởi chu trình lưu và xóa thông tin rất lớn (106 – 1013 lần) và thời gian lưu, xóa, đọc thông tin diễn ra rất nhanh (50s), gấp 103 lần so với những bộ nhớ dạng flash. Đồng thời việc lưu và xóa thông tin diễn ra không yêu cầu tốn nhiều năng lượng. Hiệu ứng “switching” và hiệu ứng nhớ là hai hiệu ứng song song, rất đặc trưng của Ge2Sb2Te5. Quá trình chuyển trạng thái từ điện trở cao đến điện trở thấp và ngược lại dưới sự tác dụng của xung điện đã tạo tiền để cho việc nghiên cứu và chế tạo tế bào nhớ pha (Phase Change Memory). Ứng dụng tính chất quang của hợp chất này đã có mặt trên thị trường. Đó là việc sử dụng hợp chất Ge-Sb-Te trong lớp lưu trữ thông tin của đĩa quang nhiều dạng khác nhau (CD-RW, DVD-RW, Blue-ray). Vì vậy, các nghiên cứu trong bài báo này tập trung vào tính chất điện, hiệu ứng “switching” của hợp chất Ge2Sb2Te5 và ứng dụng của chúng trong công nghệ kỹ thuật.